三星计划2025年推出第六代高性能HBM4 DRAM：力求在快速增长的AI芯片领域取得主导地位
三星电子第三季度营业利润大幅下滑，因全球芯片供应过剩导致其业务亏损
在周三发布的初步财报中，全球最大的存储芯片制造商三星电子公布，受全球芯片供应持续过剩的影响，第三季度营业利润同比下降77.9%。虽然这个数字超过了分析师预估的2.1万亿韩元，但其芯片业务出现亏损。该公司将于本月晚些时候发布第三季度正式财报。
据初步财报估算，第三季度营业利润从上年同期的10.85万亿韩元降至2.4万亿韩元（约合17.9亿美元）。这一亏损主要由于全球芯片供应过剩，导致市场竞争加剧和产品价格下滑。三星电子预计，第三季度营收可能较上年同期下降13%，至67万亿韩元。
尽管面临当前困境，三星电子并未停下开发新一代高性能存储芯片的步伐。公司计划在2025年推出第六代高性能高带宽内存4（HBM4）DRAM芯片，以在快速增长的人工智能芯片领域争夺主导地位。在周二的一次采访中，三星DRAM产品与技术执行副总裁Hwang Sang-joon表示，公司正在积极开发这款产品，同时计划向客户提供第五代HBM3E的样品。
HBM是一种高容量、高性能的半导体芯片，其需求不断上升，因为它用于驱动生成式人工智能设备，如ChatGPT，高性能数据中心和机器学习平台。随着人工智能技术的快速发展，对HBM的需求也在不断增长。在这个领域，三星一直在与它的较小的国内竞争对手SK海力士展开激烈的竞争，争夺该领域的主导地位。
「2016年，三星首次在全球为高性能计算（HPC）商业化了HBM，」Hwang在三星新闻官方网站Samsung Newsroom上的一篇新闻稿中说道。「我们开创了AI内存芯片市场，并大规模生产了第二到第四代HBM产品。」
在未来几年里，随着人工智能技术的进一步发展，对HBM的需求将会继续增长。三星电子和SK海力士等公司将继续在这个领域展开竞争，并致力于开发更先进、更高效的存储芯片技术。通过推出新一代的HBM产品，三星电子展示了其在存储芯片领域的领先地位，并表明它将继续投资于这个具有重要战略意义的领域。
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